规格书 |
FQP9N25C, FQPF9N25C |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 250V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8.8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 430 mOhm @ 4.4A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 35nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 710pF @ 25V |
功率 - 最大 | 74W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±30 |
安装 | Through Hole |
包装宽度 | 4.5 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 74000 |
最大漏源电压 | 250 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 430@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220 |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10 |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 9.2 |
最大连续漏极电流 | 8.8 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
FET特点 | Standard |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8.8A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | TO-220 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 430 mOhm @ 4.4A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 74W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 710pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 35nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 8.8 A |
正向跨导 - 闵 | 7 S |
单位重量 | 0.050717 oz |
RDS(ON) | 430 mOhms |
功率耗散 | 74 W |
安装风格 | Through Hole |
典型关闭延迟时间 | 90 ns |
上升时间 | 85 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 250 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 65 ns |
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